Brief: সিভিডি বৃদ্ধিতে উচ্চ-বিশুদ্ধ হীরার বীজের ভূমিকা বোঝার জন্য একটি সরল উপায় খুঁজছেন? এই ভিডিওটি আমাদের 10x10x0.3 মিমি ল্যাব-উত্থিত হীরার বীজগুলির একটি স্পষ্ট ওয়াকথ্রু প্রদান করে, তাদের অভিন্ন গঠন, সুনির্দিষ্ট মাত্রা এবং কীভাবে তারা উন্নত ইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উচ্চ-মানের একক ক্রিস্টাল হীরা উত্পাদন সক্ষম করে তা প্রদর্শন করে৷
Related Product Features:
সুনির্দিষ্ট পার্শ্বীয় এবং বেধ সহনশীলতা সহ 10x10x0.3 মিমি সহ একাধিক আকারে উপলব্ধ।
অভিন্ন স্ট্রেস ডিস্ট্রিবিউশন এবং 20x ম্যাগনিফিকেশনের অধীনে কোনও পলিক্রিস্টালাইন কালো দাগ বা ফাটল নেই।
উচ্চ-মানের একক স্ফটিক বৃদ্ধির জন্য মাইক্রোওয়েভ প্লাজমা-সহায়তা রাসায়নিক বাষ্প জমা (MPACVD) ব্যবহার করে উত্পাদিত।
উচ্চ-শক্তি ইলেকট্রনিক ডিভাইসের জন্য আদর্শ 2200W/(m·K) পর্যন্ত ব্যতিক্রমী তাপ পরিবাহিতা অফার করে।
উচ্চ বিশুদ্ধতার জন্য কম বোরন এবং নাইট্রোজেন ঘনত্ব (যথাক্রমে <0.05 পিপিএম এবং <20 পিপিএম) বজায় রাখে।
সুনির্দিষ্ট এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির জন্য <100> ওরিয়েন্টেশন এবং {100} ফেস ওরিয়েন্টেশন সহ লেজার-কাট প্রান্ত।
উচ্চতর পৃষ্ঠের গুণমানের জন্য Ra <20 nm রুক্ষতা অর্জন করে পালিশ করা পৃষ্ঠের সাথে উপলব্ধ।
টাইপ IIb ডায়মন্ড সিড ক্রিস্টালগুলিতে 100, 110 এবং 111 দিকগুলিতে হোমোপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির জন্য উপযুক্ত।
সাধারণ জিজ্ঞাস্য:
এই CVD হীরা বীজ জন্য মূল অ্যাপ্লিকেশন কি কি?
এই হীরার বীজগুলি প্রাথমিকভাবে উচ্চ-কর্মক্ষমতা অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে একক ক্রিস্টাল CVD বৃদ্ধির জন্য সাবস্ট্রেট হিসাবে ব্যবহৃত হয়, বিশেষ করে পরবর্তী প্রজন্মের উচ্চ-শক্তি, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি, এবং কম-পাওয়ার ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির জন্য যেখানে ব্যতিক্রমী তাপ পরিবাহিতা এবং বৈদ্যুতিক নিরোধক গুরুত্বপূর্ণ।
কি মান নিয়ন্ত্রণ ব্যবস্থা এই হীরা বীজের নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে?
প্রতিটি বীজ 20x ম্যাগনিফিকেশনের অধীনে কোনো পলিক্রিস্টালাইন কালো দাগ বা ফাটল না যাচাই, পোলারাইজার পরীক্ষার অধীনে অভিন্ন স্ট্রেস বিতরণ, সুনির্দিষ্ট মাত্রিক সহনশীলতা, এবং বোরন (<0.05 পিপিএম) এবং নাইট্রোজেন (<20pm) এর কম অপরিষ্কার ঘনত্ব নিশ্চিত করা সহ কঠোর গুণমান পরীক্ষা করে।
কিভাবে MPACVD প্রক্রিয়া এই হীরা বীজের গুণমানে অবদান রাখে?
মাইক্রোওয়েভ প্লাজমা-অ্যাসিস্টেড কেমিক্যাল ভ্যাপার ডিপোজিশন (MPACVD) প্রক্রিয়া মাইক্রোওয়েভ রেজোন্যান্স ব্যবহার করে নিয়ন্ত্রিত চাপে কার্বন-ধারণকারী গ্যাসগুলিকে ভেঙে ফেলার জন্য, সুনির্দিষ্ট হোমোপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধিকে সক্ষম করে যার ফলে অন্যান্য সিন্থেটিক হীরার আকারের তুলনায় উচ্চতর শারীরিক এবং যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য সহ উচ্চতর অর্ডারযুক্ত স্ফটিক কাঠামো তৈরি হয়।